ULN2803APG,CN

Toshiba Semiconductor and Storage

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Produktübersicht

Artikelnummer:	ULN2803APG,CN
Hersteller / Marke:	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung	TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
Datenblätte:	ULN2803APG,CN.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5921 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5921 pcs

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Spezifikationen von ULN2803APG,CN

Artikelnummer	ULN2803APG,CN	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5921 pcs	Datenblatt	ULN2803APG,CN.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1.6V @ 500µA, 350mA
Transistor-Typ	8 NPN Darlington	Supplier Device-Gehäuse	18-DIP
Serie	-	Leistung - max	1.47W
Verpackung	Tube	Verpackung / Gehäuse	18-DIP (0.300", 7.62mm)
Andere Namen	ULN2803APG ULN2803APG(5,M) ULN2803APG(CNHZN) ULN2803APG(CNHZN)-ND ULN2803APG(O,M) ULN2803APG(O,N,HZA ULN2803APG(O,N,HZN ULN2803APG(OM) ULN2803APG(OM)-ND ULN2803APG(ONHZA ULN2803APG(ONHZA-ND ULN2803APG(ONHZN ULN2803APG(ONHZN-ND ULN2803APG-ND ULN2803APGCN ULN2803APGONHZN	Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	-
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.47W Through Hole 18-DIP	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	1000 @ 350mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max)	-	Strom - Kollektor (Ic) (max)	500mA
Basisteilenummer	ULN280*A

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